Различные режимы электронного транспорта в допированных нанопроволоках
Жуков А.А., Батов И.Е.

Received: August 28, 2023

DOI: 10.31857/S004445102403012X

PDF (2359.1K)

Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим практичски однородного диффузного транспорта. Продемонстрирована связь между особенностями результатов сканирования техникой SGM и спектром универсальных флуктуаций проводимости (R^-1B)). Кроме того, показано фрактальное поведение кривой R^-1(B) в нелинейном и линейном режимах резонансного транспорта.