ZhETF, Vol. 167,
No. 3,
p. 442 (March 2025)
(English translation - JETP,
Vol. 140, No. 3,
March 2025
available online at www.springer.com
)
Бистабильность в слое хирального жидкого кристалла с отрицательной диэлектрической анизотропией
Симдянкин И.В., Гейвандов А.Р., Палто С.П.
Received: November 5, 2024
DOI: 10.31857/S0044451025030149
Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π -состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π -состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.
|
|