Влияние ионного облучения на спин-зависимый транспорт в светоизлучающих диодах
Калентьева И.Л., Демина П.Б., Ведь М.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Байдусь Н.В., Дудин Ю.А., Малышева Е.И.

Received: September 19, 2024

DOI: 10.31857/S004445102504011X

PDF (444.8K)

Исследовано влияние дефектообразования на времена спиновой релаксации и рекомбинации носителей заряда в спиновых светоизлучающих диодах с ферромагнитным инжектирующим контактом CoPt/Al₂O₃/GaAs. Контролируемое дефектообразование осуществлялось путем облучения сформированных диодов ионами He⁺ с флюенсом 10¹² см^-2 и энергией 20 кэВ. Показано, что после облучения рекомбинационное время жизни в структурах существенно снижается, но время спиновой релаксации носителей, напротив, не претерпевает существенных изменений. В результате ионное облучение и сопутствующее образование вакансий обусловливают повышение степени циркулярной поляризации электролюминесценции спиновых светоизлучающих диодов за счет повышения отношения времени спиновой релаксации ко времени жизни (τ _s/τ _R). Полученный эффект сопровождается гашением электролюминесценции, что ставит под сомнение возможность применения данного метода в спиновых светоизлучающих диодах. Однако в приборах спинтроники, использующих спин-зависимый транспорт, возможность повышения времени спиновой релаксации при ионном облучении положительно скажется на эффективности их работы.