ИНЖЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ОКСИД-НИТРИД-ОКСИД-КРЕМНИЙ
Насыров К.А., Шаймеев С.С., Гриценко В.А., Хан Ж.Х., Ким С.В., Ли Ж.В.

Поступила в редакцию: 1 Июня 2005

PACS: 73.61.Ng, 73.50.Fg, 61.43.-j, 71.23.An

DJVU (156.7K)

PDF (450.6K)

Изучена кинетика накопления электронов и дырок в структурах металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник. Экспериментальные данные сопоставлены с теоретической моделью, учитывающей туннельную инжекцию, захват электронов и дырок на ловушках в аморфном нитриде кремния SiN_x и ионизацию ловушек. Cогласие эксперимента и расчета получено для ширины запрещенной зоны E_g=8.0 эВ аморфного SiO₂, что соответствует величине барьера для дырок Φ_h=3.8 эВ на границе Si/SiO₂. Оценены величины туннельной эффективной массы -0.5)m₀ для дырок в SiO₂ и в SiN_x. В рамках модели фонон-связанной ловушки определены параметры электронных и дырочных ловушек в SiN_x: оптическая энергия W_opt=2.6 эВ, термическая энергия W_T=1.3 эВ.