Магнитотранспортные эффекты и электронное фазовое расслоение в сульфидах марганца с электронно-дырочным допированием
Романова О.Б., Аплеснин С.С., Ситников М.Н., Удод Л.В.

Поступила в редакцию: 2 Сентября 2020

DOI: 10.31857/S0044451021050102

PDF (602K)

Исследуется влияние электронного и дырочного допирования с малой концентрацией замещения (x=0.01) на магнитную и электронную подсистему в неупорядоченных полупроводниках Me_xMn_1-xS (Me = Ag и Тm) в широком диапазоне температур (77-1000 K) и магнитных полей до 12 кЭ. Из магнитных измерений установлены области образования ферронов (поляронов) в окрестности магнитного фазового перехода. Обнаружены магнитоимпеданс и магнитосопротивление, величина и знак которых зависят от электрического поля, температуры и типа замещающего элемента. Найдены температуры максимумов термоэдс, вызванные деформацией кристаллической структуры. Установлены фононнный и магнонный вклады в релаксацию носителей тока методом импедансной спектроскопии и ян-теллеровская мода колебаний из ИК-спектров для системы с серебром. Найден диффузионный вклад в проводимость из годографа импеданса в полупроводниках Tm_xMn_1-xS. Для описания экспериментальных результатов использованы модели суперпарамагнитных кластеров, ферроэлектрических областей и модель Дебая.