Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики

НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ

Общая информация о журнале

Проверить статус статьи

ЖЭТФ, Том 166, Вып. 3, стр. 403 (Сентябрь 2024)
(Английский перевод - JETP, Vol. 139, No 3, September 2024 доступен on-line на www.springer.com )

Формирование полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах $\mathrm {RSbS}_2\mathrm {O}$ при $\mathrm {R}$ = $\mathrm {Dy}$ , $\mathrm {Ho}$ , $\mathrm {Er}$
Байдак С.Т., Лукоянов А.В.

Поступила в редакцию: 2 Февраля 2024

DOI: 10.31857/S0044451024090104

PDF (1450.9K)

Исследованы особенности формирования полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов $\mathrm {DySbS}_2\mathrm {O}$ , $\mathrm {HoSbS}_2\mathrm {O}$ и $\mathrm {ErSbS}_2\mathrm {O}$ . Теоретические расчеты, выполненные в рамках метода GGA+U с учетом электронных корреляций в 4f-оболочке редкоземельных элементов, показали, что три соединения, $\mathrm {DySbS}_2\mathrm {O}$ , $\mathrm {HoSbS}_2\mathrm {O}$ и $\mathrm {ErSbS}_2\mathrm {O}$ , являются полупроводниками с малой по величине прямой щелью 0.06, 0.10 и 0.09эВ для $\mathrm {DySbS}_2\mathrm {O}$ , $\mathrm {HoSbS}_2\mathrm {O}$ и $\mathrm {ErSbS}_2\mathrm {O}$ соответственно в высокосимметричной точке X. Обнаружено, что для формирования запрещенной зоны в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов важными оказываются как проведение оптимизации кристаллической структуры, так и учет спин-орбитального взаимодействия. Оксисульфостибниты редкоземельных металлов, как и их слоистые структурные аналоги оксисульфиды, благодаря своим свойствам могут найти широкое применение в биомедицине, фотолюминесценции и других областях.

Сообщить о технических проблемах