
JETP, Vol. 66,
No 4,
p. 766 (October 1987)
(Русский оригинал - ЖЭТФ,
Том 93,
Вып. 4,
стр. 1349,
Октябрь 1987
)
Validity of the Born approximation for electron scattering by a Coulomb center in a gapless semiconductor
N.N. Ablyazov
Поступила в редакцию: 11 Февраля 1987
|
|